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【摘 要】：文章目录 0 引 言 1 原子层沉积技术 1.1 原子层沉积原理 1.2原子层沉积的优点 2 原子层沉积技术的应用 2.1 半导体和纳米电子学的应用 2.1.1 晶体管栅极介电层(高介电常数) 2.1.2 三元氧化物

文章目录

0 引 言

1 原子层沉积技术

1.1 原子层沉积原理

1.2原子层沉积的优点

2 原子层沉积技术的应用

2.1 半导体和纳米电子学的应用

    2.1.1 晶体管栅极介电层(高介电常数)

    2.1.2 三元氧化物纳米薄膜

    2.1.3 贵金属单质纳米薄膜

2.2 光电材料和装置

    2.2.1 滤波器

    2.2.2 防湿涂层用于OLED显示

    2.2.3 薄膜电致发光元件

    2.2.4 太阳能电池

    2.2.5 激光器材料

    2.2.6 防紫外线材料

2.3 MEMS微机电系统

2.4 纳米结构及其他应用

3 结束语

文章摘要:介绍了原子层沉积（ALD）技术的应用现状及发展前景,包括ALD原理、ALD技术的主要优势、ALD在各方面的应用,如半导体及纳米电子学应用、光电材料及器件、微机电系统（MEMS）、纳米结构及其它应用。ALD工艺所需温度比其他化学气相沉积方法远远降低,温度约为300℃。ALD对薄膜的均匀性有更好的控制,由于原子层技术的独特性,使其在半导体等行业的发展前景十分可观。

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项目基金:文章来源：《电子元件与材料》 网址: http://www.dzyjyclzz.cn/qikandaodu/2021/0929/793.html